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无限间隔时间！英飞凌的宇航芯片有啥“黑科技”？

2023-02-26 12:16:35

导读：4同年14日，英飞凌披露第一款用于人造卫星旅途的防辐射串行2Mb FRAM（铁电RAM），而过人之处在于在美国国家航空宇航局电子器件上解决问题了惊人的“无限寿命长”。

绘出：寿命长无限的芯片

英飞凌的这颗FRAM存储ROM不符QML-V规格（宇航级IC的略低于质量和可用性规格认证），基于其涂层特性和建筑设计，解决问题了完全无限的耐用性，同时少于100年（85°C下可留有120年，实际应用于一般更长）的数据保留能力也已经少于了人类目前的美国国家航空宇航局史。

ROM大师曾一度盘点盘点：那些美国国家航空宇航局级CPU和“神”的奥秘，要告诉，用在宇航器上的电子器件，一般构建性能、密度远比提升耐用性（稳定性）要容易得多。跟民用级IC相比，寿命长更是甩开几个数量级。

不为人知的是，在增益应用领域独步天下的英飞凌背后，在宇航应用领域拥有近40年积攒的“黑科技”。

绘出：首位稳坐人造卫星的族裔物理学家王赣骏

1985年，NASA的“挑战者”号搭载了七名美国国家航空宇航局员转回人造卫星，其中包括第一位转回人造卫星的族裔和唯独五星红旗。

同年，一个名为IR HiRel（时在2014年被选为英飞凌母公司）的项目启动，开始为宇航器缺少顶级可用性和抗辐射性能的电子器件。

时在，“挑战者”号因一枚钢圈在火箭不久重新启动造成爆炸，造成7名美国国家航空宇航局员在全世界关注中丧生，被选为人类美国国家航空宇航局史上最惨烈的事故，也是三人最著名的因电子器件重新启动致使的灾难。

因此，美国国家航空宇航局级电子器件的检测规格和性能冗余预期如此一来一次被人类的前传快乐和恐惧回想拉高。

绘出：抗辐射双增益MOSFET

1985年，IR HiRel项目发行了第一个新产品，一款是硬增益MOSFET。这种电子器件于1960年诞生于贝尔实验室，而增益电子器件界的大老IR（亚太地区整流器）公司1947年就组建了，也是迄今为止第一家缺少美国国家航空宇航局级MOSFET的制造商。

IR HiRel的新产品因最佳性能和耐用性的建筑设计而一直延续至今，包括用于地球同步和地球静止状态轨道、中地球轨道 (MEO) 和低地球轨道 (LEO) 的数千个项目中。

这些电子器件和宇航器三人其间暴露在大量的辐射中，也被选为电子器件略低于可用性的唯独旗帜。例如六个同年的火星归来，需要受制于的辐射相当于300毫西弗总体，而亚太地区内部和平号上六个同年差不多是90毫西弗。即便如此，地球上民用电子器件的辐射环境往往勉强勉强1毫西弗。

绘出：火星车的计算、控制等系统需要大量IC

因此，前往火星的电子器件是目前人类技术都能超过的另一个精准度，这样的强抗辐射电子器件IR HiRel一共计制造了数千个，主要用于NASA的探测器和火星车中。

目前为止，IR HiRel开发的ROM共计参与了五次NASA的火星探测计划，最近一次是2021年火箭的“恒心”号。

IR HiRel的美国国家航空宇航局级MOSFET、IC和增益导体被用于跳伞计算机技术、电机控制、低空和战斗任务仪器中。同时，为了长时间研究火星生命迹象，电子器件受到了空前武断的内部空间环境检测。

据英飞凌的消息，英飞凌开发的芯片已经解决问题了零缺陷，所有美国国家航空宇航局级存储新产品之外需要转送美国本土进行时封装和检测，数据留有能力高达100至250年。

目前为止，IR HiRel的工程师为2,000多个不同的战斗任务缺少了合理的支持，包括DC-DC、稳压器、增益晶体管、二极体和IC，用项目负责人的话说，“我们的新产品完全出现在每个人造卫星项目中”。